US2D

在开关电源、高频逆变器、功率因数校正（PFC）及AC-DC适配器中，整流二极管的反向恢复损耗直接影响系统效率和热设计。瑞斯特（RST）推出的 US2A-US2M 系列超快恢复整流器，采用标准表面贴装封装（如 SMA/DO-214AC），专为2A输出电流和50V至1000V反向电压应用而设计。该系列覆盖 50V、100V、200V、400V、600V、800V、1000V 七个电压等级（对应型号 US2A、US2B、US2D、US2G、US2J、US2K、US2M），最大平均整流输出电流 IF(AV) 为 2.0A，峰值正向浪涌电流 IFSM（60Hz 单周期，Ta=25℃）高达 50A，可承受电源上电、雷击或感性负载关断时的瞬态大电流冲击。器件具有超快反向恢复时间（典型值 50ns~75ns），比标准快恢复二极管（如 RS2M 的 250-500ns）快数倍，显著降低开关损耗，适用于高频开关工作。工作结温和存储温度范围均为 -55℃~+150℃，符合 RoHS 和无卤素标准，适合自动化表面贴装生产。

根据电气特性（TA=25℃），该系列正向压降 VF 随耐压升高而略有增加：US2A-US2D（50V-200V）在 IF=2A 时最大为 1.0V；US2G-US2J（400V-600V）为 1.3V；US2K-US2M（800V-1000V）为 1.7V。虽然肖特基二极管 VF 更低，但 US 系列在高压下仍保持可接受的导通损耗，且反向恢复特性远优于肖特基（肖特基耐压通常不超过 200V）。反向漏电流 IR 在额定反向电压下，TA=25℃ 时最大 5μA，TA=125℃ 时最大 50μA，高温漏电控制良好。反向恢复时间 trr：US2A-US2J 为 50ns，US2K-US2M 为 75ns（测试条件：IF=0.5A，IR=1.0A，IRR=0.25A）。这一超快恢复特性可大幅降低开关管关断时的反向恢复电流尖峰，减少损耗和 EMI。典型结电容 CJ 在 1MHz、4V 反向偏置下，低压型号为 26pF，高压型号为 20pF 或 10pF，有助于降低容性损耗。热阻 RθJA 为 75℃/W（结到环境），RθJL 为 27℃/W（结到引线），在 2A 连续电流下建议 PCB 敷铜面积不小于 2.0"×2.0"（5×5cm）以确保散热。

典型应用场景： US2A-US2M 系列凭借 2A 电流能力、50V-1000V 宽耐压、50-75ns 超快恢复和 50A 浪涌耐受，广泛适用于：① 开关电源输出整流——反激、正激变换器的次级整流，用于 12V-48V 输出的适配器、充电器、工业电源；2A 能力覆盖 30W-60W 功率等级，超快恢复使其适用于 100kHz 以上的高频工作。② 功率因数校正（PFC）：用作连续导通模式（CCM）PFC 的升压二极管，显著降低反向恢复损耗，提升 THD 和效率。③ 高频逆变器与谐振变换器：如 LLC 谐振变换器的输出整流，超快恢复减少电压尖峰。④ 续流二极管：在 buck 变换器、电机驱动中与功率开关并联，吸收关断反峰。⑤ 反极性保护与钳位：串联于电源输入端防止反接，或并联于变压器初级侧吸收漏感尖峰。选型时根据最大反向电压选择对应型号（如 220V 交流整流后约 311V，选用 US2G 或 US2J；380V 交流整流后约 540V，选用 US2K 或 US2M）。在 PCB 布局中，应尽量缩短二极管与变压器、开关管之间的走线，减小环路电感；建议敷铜散热面积不小于 50mm²。表面贴装封装兼容回流焊工艺（峰值 +260℃），以卷带包装供货（约 3,000 片/卷）。

从封装与组装角度，US2A-US2M 系列通常采用 SMA（DO-214AC）或 SMB 封装，典型尺寸约为 4.50mm×2.60mm×2.10mm，引脚为无铅镀锡，可焊性满足 MIL-STD-750 方法2026。推荐的焊盘设计可参考标准封装尺寸，确保散热良好。回流焊曲线符合 J-STD-020 无铅工艺：预热 +150℃~+200℃（60~180 秒），液相 +217℃（60~150 秒），峰值 +260℃（+0/-5℃，20~40 秒），升温/降温斜率分别 ≤3℃/秒和 ≤6℃/秒。总体而言，瑞斯特（RST）US2A-US2M 系列超快恢复整流器以 50V~1000V 宽耐压、2A 电流、1.0V-1.7V 正向压降、50-75ns 超快恢复和 50A 浪涌耐受，成为中高频开关电源、PFC 和高压整流的理想选择。无论是在消费电子适配器中，还是在工业电源模块中，该系列都能以高可靠性和高效率满足 2A 级高频设计要求。