RSTNG40N013A1

瑞斯特（RST）推出的RSTNG40N013A1 是一款面向SMPS同步整流、负载开关、DC-DC转换及OR-ing（冗余电源）应用优化的N沟道功率MOSFET，采用PDFN5×6-8L封装，具备业界领先的超低导通电阻和极高的电流处理能力。器件额定电压40V，连续漏极电流200A（Tc=25℃，键合线限制），脉冲电流高达600A，满足高功率密度系统的严苛需求。导通电阻典型值在V_GS=10V、I_D=25A条件下低至1.3mΩ，在V_GS=4.5V时为1.5mΩ，最大值分别为1.8mΩ和2.1mΩ，极低的R_DS(on)将传导损耗降至最小，显著提升大电流场景下的系统效率。栅极阈值电压V_GS(th)典型1.8V（范围1.4V~2.5V），兼容3.3V/5V逻辑直接驱动。零栅压漏电流I_DSS常温下低于1µA，高温85℃时典型30µA，栅极漏电流±100nA，保障系统低待机功耗。器件最高结温达175℃，优于常规150℃限值，适用于高温环境下的服务器、通信电源等场景。器件通过100% UIS及R_g测试，可靠性高。

动态性能针对高频开关优化。总栅极电荷Q_g典型值47nC（V_DS=20V，V_GS=10V，I_D=25A），栅漏电荷Q_gd=15.63nC，栅源电荷Q_gs=24.75nC，低FOM（R_DS(on)×Q_g)使开关损耗得到有效控制，支持数百kHz开关频率。输入电容C_iss典型5790pF，输出电容C_oss典型2000pF，反向传输电容C_rss典型175pF（V_DS=20V，f=1MHz），合理的电容特性有助于平衡开关速度与EMI。开关时间实测：开通延迟t_d(on)=18.8ns，上升时间t_r=9.8ns，关断延迟t_d(off)=50ns，下降时间t_f=90.8ns（测试条件V_DD=20V，R_L=20Ω，I_D=1A，V_GEN=10V，R_G=1Ω）。体二极管反向恢复时间t_rr=61ns，反向恢复电荷Q_rr=67nC（I_SD=25A，di/dt=100A/µs），良好的恢复特性减少硬换流损耗，提升同步整流和OR-ing应用的可靠性。

RSTNG40N013A1具备出色的雪崩耐量，单脉冲雪崩能量在L=0.5mH条件下E_AS=306mJ（I_AS=35A），为感性负载开关（如电机线圈、电源母线电感）提供坚实保护。热特性方面，结到壳热阻R_θJC稳态仅0.85°C/W，最大功率耗散120W（Tc=25℃），极低的热阻配合高结温能力，可在高功率应用中高效散热。结到环境热阻R_θJA稳态50°C/W（基于1in² FR-4板），实际应用中建议采用大面积铜皮或附加散热器以发挥器件全部潜力。封装采用PDFN5×6-8L，外形尺寸5×6mm，高度1.2mm，底部大面积裸露焊盘提供高效热传导路径，同时低封装寄生电感有助于减小开关尖峰。工作结温范围-55℃~175℃，满足服务器、工业电源、通信设备等严苛环境的可靠性要求。器件无铅且符合RoHS标准。

基于40V/200A超低阻抗和强健的雪崩能力，RSTNG40N013A1广泛适用于SMPS同步整流（如高性能服务器电源、通信电源、快充适配器），可显著提高次级侧整流效率并简化散热设计。在DC-DC转换器（降压、升压、升降压拓扑）中，器件可作为高边或低边MOSFET，低R_DS(on)和低Q_g特性帮助实现高效率功率转换，尤其适合48V转12V/1V的负载点电源。此外，器件适用于负载开关和OR-ing（冗余电源）应用，如数据中心配电、热插拔电路、电池管理系统中的大电流路径切换，其极低导通电阻可降低压降和功耗。在电动叉车、低速电动车电机控制器和工业逆变器等需要处理百安培级电流的场合，RSTNG40N013A1凭借超低导通电阻、高雪崩能量和175℃结温，为高功率、高可靠性低压系统提供了极具竞争力的功率开关解决方案。