RSTNG100N20A1

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTNG100N20A1 是一款 100V N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 DFN5×6‑8 封装，额定漏源电压 VDS = 100V，连续漏极电流 ID = 30A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 120A。其导通电阻典型值为 21mΩ（VGS=10V, ID=14A）和 28mΩ（VGS=4.5V, ID=9A），在 100V 耐压等级中提供良好的导通损耗特性。器件经过 100% UIS 和 Rg 测试，可靠性高，符合 RoHS 且 MSL1 等级。DFN5×6‑8 封装具有良好的散热能力和低寄生电感，适合 SMPS 充电器适配器同步整流和 DC/DC 转换应用。

■ 关键电气参数
RSTNG100N20A1 的栅极阈值电压典型值为 1.5V（范围 1.0~2.5V），兼容 3.3V 和 5V 驱动。动态特性方面，输入电容 Ciss = 650pF（典型），输出电容 Coss = 482pF，反向传输电容 Crss = 24pF（VDS=50V 时），较低的电容值有助于提高开关速度。栅极电荷 Qg 在 VGS=10V 时为 15.5nC（典型），4.5V 时为 7.5nC，其中栅源电荷 3nC，栅漏电荷 3.2nC。开关时间（VDD=30V, ID=1A）为开通延迟 10ns，上升 6ns，关断延迟 61ns，下降 24ns。体二极管反向恢复时间 35ns，恢复电荷 50nC。器件具有较高的栅极电阻 RG = 1.5Ω，有助于抑制振铃。

■ 热管理与可靠性设计
RSTNG100N20A1 在 TC=25℃ 时最大耗散功率为 45W，TC=100℃ 时降额至 17W；结到壳热阻 RθJC = 2.8℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 60℃/W（1in²铜箔）。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = 18A，雪崩能量 EAS = 81mJ（L=0.5mH），具备一定的瞬态能量吸收能力。建议在 PCB 布局中为电流路径提供宽铜箔及足够的过孔，以优化散热。

■ 典型应用场景
RSTNG100N20A1 凭借良好的导通电阻和开关特性，广泛适用于：

• SMPS 电源管理：开关电源中的高效功率开关。

• 充电器适配器同步整流：适配器中的高效整流。

• DC/DC 转换器：高压大电流降压转换器的主开关。

• 负载开关：服务器和数据中心中的大电流通断控制。

瑞斯特 RSTNG100N20A1 在成本与性能之间实现了良好平衡，是 100V 级通用电源应用的优选器件。