RSTNG100N15A2 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计,电气性能稳定、环境适应性强, 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求,广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定,适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTNG100N15A2 是一款紧凑型 100V N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 DFN3.3×3.3C‑8_EP 小封装,额定漏源电压 VDS = 100V,连续漏极电流 ID = 36A(TC=25℃),脉冲电流 IDM = 108A。其导通电阻典型值为 15mΩ(VGS=10V)和 18mΩ(VGS=4.5V),在 100V 耐压等级中提供良好的导通损耗特性。器件经过 100% UIS 和 Rg 测试,可靠性高,符合 RoHS 标准。DFN3.3×3.3C‑8_EP 封装尺寸极小,适合空间受限的便携设备和 SMPS 充电器适配器应用。
■ 关键电气参数
RSTNG100N15A2 的栅极阈值电压典型值约为 1.5V(范围 1.0~2.5V),兼容 3.3V 和 5V 驱动。虽然数据手册未提供详细的动态参数数值,但从特性曲线可推断其输入电容和栅极电荷经过优化,适合中速开关应用。体二极管正向压降典型值约 0.8V,反向恢复特性良好,可有效降低续流损耗。该器件针对 SMPS 充电器适配器同步整流和 DC/DC 转换应用进行了优化。
■ 热管理与可靠性设计
RSTNG100N15A2 在 TC=25℃ 时最大耗散功率为 39W,TC=100℃ 时降额至 15W;结到壳热阻 RθJC = 3.2℃/W,结到环境热阻(稳态)RθJA = 80℃/W(1in²铜箔)。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = 18A,雪崩能量 EAS = 81mJ(L=0.5mH),具备一定的瞬态能量吸收能力。鉴于封装小巧,建议在 PCB 布局中提供足够的铜箔面积以辅助散热。
■ 典型应用场景
RSTNG100N15A2 凭借小封装和良好的开关性能,特别适用于:
SMPS 电源管理:开关电源中的高效功率开关。
充电器适配器同步整流:适配器中的高效整流。
DC/DC 转换器:高压降压转换器的主开关。
负载开关:便携设备中的负载通断控制。
瑞斯特 RSTNG100N15A2 在极小封装内提供了 100V 耐压和良好的开关性能,是便携式高密度电源设计的理想选择。