RSTN8726A1
RSTN8726A1 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- DFN5*6-8 EP1
- Configuration:
- Single
- Type:
- N
- VDS(V):
- 30
- VGS(±V):
- 20
- Vth（V）:
- 1.8
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- 3
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- 3.5
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- 4
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- 4.8
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
- No
在台式计算机电源管理、DC-DC转换器、大电流负载开关及笔记本电池管理应用中，低压大电流MOSFET需要同时具备极低的导通电阻和高功率密度。瑞斯特（RST）推出的RSTN8726A1是一款针对30V电压平台设计的N沟道功率MOSFET，采用紧凑的PDFN5×6-8L封装，占板面积仅30mm²，同时提供极低的热阻（结到壳2.2℃/W）。器件连续漏极电流高达100A（Tc=25℃），脉冲电流能力达300A。其典型导通电阻在VGS=10V时为3mΩ（最大值3.5mΩ），在VGS=4.5V低压驱动下典型值4mΩ（最大值4.8mΩ），125℃高温下典型值3.8mΩ，处于30V电压等级的顶尖水平，可大幅降低高电流路径中的导通损耗，提升系统效率。器件栅源电压额定值±20V，阈值电压VGS(th)典型值1.8V（范围1.3~2.2V），兼容3.3V/5V PWM控制器。前向跨导gFS典型值20S，提供强劲的驱动能力。可靠性方面，RSTN8726A1通过100% UIS及栅极电阻测试，单脉冲雪崩能量EAS高达192mJ（L=0.1mH，IAS=62A），能够安全吸收大电感负载关断产生的巨大反电动势，确保系统在电机驱动、热插拔等严苛工况下的长期可靠性。器件满足RoHS环保要求，适用于高密度表面贴装生产。
静态特性与体二极管性能方面，RSTN8726A1展现出低泄漏和快速恢复优势。零栅压漏电流IDSS在VDS=24V、25℃时小于1μA，在85℃高温下典型值为30μA，极低的漏电流有助于降低系统待机功耗。导通电阻在VGS=10V、ID=20A条件下典型值3mΩ，正温度系数便于多管并联均流和热平衡设计。内置体二极管正向压降VSD典型值0.8V（ISD=20A），反向恢复时间trr典型值35.6ns，反向恢复电荷Qrr为26nC（ISD=20A，di/dt=100A/μs）。快速软恢复特性有效减小死区时间损耗并降低EMI噪声，使其在同步整流和桥式拓扑中表现稳定。热性能方面，器件结到壳热阻RθJC为2.2℃/W，最大耗散功率PD达120W（Tc=25℃）。当器件安装在1in²铜箔上时，结到环境热阻稳态值为64℃/W，设计时应充分利用底部裸露焊盘通过过孔连接至地平面，以充分发挥PDFN封装的热优势。
动态开关性能是高频率、高功率密度电源的核心。RSTN8726A1优化了栅极电荷与电容特性：总栅极电荷Qg典型值为20.6nC（最大值28.8nC）（VDS=15V，VGS=10V，ID=20A），在VGS=4.5V驱动下总栅极电荷仅9.8nC。其中栅源电荷Qgs=3.8nC，栅漏电荷Qgd=3.7nC，极低的米勒电荷大幅缩短开关过渡时间，降低驱动器功耗，使其非常适合高频（200kHz~1MHz）PWM控制。输入电容Ciss典型值为1350pF（最大值1855pF），输出电容Coss=326pF，反向传输电容Crss=160pF（测试条件VDS=15V，f=1MHz）。较低的Crss有效抑制了开关过程中的dv/dt耦合，提高抗误导通能力。开关时间测试（VDD=15V，ID=1A，VGEN=10V，RG=6Ω）显示：开通延迟td(on)典型值12.4ns，上升时间tr=9.5ns，关断延迟td(off)=27.2ns，下降时间tf=35.2ns。快速的开关速度配合超低导通电阻，可在数百千赫兹频率下实现高效能量转换。栅极电阻RG典型值1Ω，为外部驱动匹配提供了便利。设计时建议栅极驱动电阻选取5~15Ω以平衡开关损耗与振铃。
基于上述技术优势，RSTN8726A1主要适用于以下高功率、高效率场景：① 台式计算机电源管理 —— 用于主板CPU/GPU核心供电的同步降压变换器（VRM）的功率级，3mΩ超低导通电阻减少压降和发热，100A电流能力满足高性能处理器供电需求；② DC-DC转换器 —— 适用于12V转5V/3.3V/1.8V的负载点转换器（POL）、工业总线转换器以及电池备份模块，30V耐压提供充足电压裕量，100A电流能力覆盖千瓦级功率范围；③ 电源负载开关（Power Load Switch） —— 在服务器配电、通信设备、数据中心中作为主路径开关，极低导通电阻减少压降和发热，192mJ雪崩能量抵御系统浪涌；④ 笔记本电池管理（Notebook Battery Management） —— 用于电池充放电保护、电源路径切换，紧凑PDFN封装适合高密度主板布局，-100A电流能力满足大电流电池放电需求。此外，PDFN5×6-8L封装底部裸露焊盘需大面积焊接至PCB地平面并阵列过孔散热，以充分利用120W的功率耗散能力。对于高开关频率应用，建议优化栅极驱动回路，减小寄生电感。总体而言，瑞斯特RSTN8726A1以超低导通电阻、卓越的雪崩耐受能力和紧凑的PDFN封装，为30V低压大电流电源管理提供了高性价比、高鲁棒性的功率开关解决方案。
