RSTN40C28A1

瑞斯特（RST）推出的RSTN40C28A1 是一款集成N沟道和P沟道增强型MOSFET的单封装器件，采用DFN5×6C-8_EP2紧凑封装，特别适用于H桥预驱动、电机控制及同步整流等半桥/全桥拓扑。N沟道额定电压40V、连续电流30A（Tc=25℃），P沟道额定电压-40V、连续电流-30A。导通电阻方面，N沟道典型R_DS(on)在V_GS=10V时为16mΩ，V_GS=4.5V时为19mΩ；P沟道典型值在V_GS=-10V时为30mΩ，V_GS=-4.5V时为36mΩ，确保高边和低边开关均具备合理传导损耗，适用于中等电流、对成本敏感的应用。栅极阈值电压V_GS(th)：N沟道典型2V（范围1.5~2.5V），P沟道典型-2V（范围-1.5~-2.5V），兼容3.3V/5V逻辑直接驱动。零栅压漏电流常温下小于1µA，高温85℃时典型30µA，栅极漏电流±100nA，保障系统低待机功耗。器件通过100% UIS及R_g测试，可靠性高。

动态性能针对中高频开关优化。N沟道总栅极电荷Q_g典型值13.6nC（V_DS=20V，V_GS=10V，I_D=11.5A），4.5V驱动下仅6.7nC；栅漏电荷Q_gd=2.8nC。P沟道Q_g典型值13.5nC（V_DS=-20V，V_GS=-10V，I_D=-8.8A），4.5V驱动下为6.9nC；Q_gd=3.6nC。低栅极电荷使器件能支持数百kHz开关频率。输入电容C_iss：N沟道典型790pF，P沟道668pF；输出电容C_oss：100pF/105pF；反向传输电容C_rss：60pF/80pF，低C_rss有助于抑制开关节点振铃，改善EMI特性。开关时间实测：N沟道开通延迟11.5ns，上升时间8ns，关断延迟23ns，下降时间5.5ns；P沟道对应值为10ns、10ns、33ns、18ns（测试条件V_DD=±20V，R_L=20Ω，I_D=±1A，R_G=6Ω）。体二极管反向恢复：N沟道t_rr=15ns，Q_rr=10nC；P沟道t_rr=16ns，Q_rr=10nC，较好的恢复特性减少硬换流损耗，提升同步整流和H桥换向可靠性。

RSTN40C28A1通过100% UIS测试，单脉冲雪崩能量在L=0.5mH条件下，N沟道和P沟道均为25mJ（I_AS=±10A），为感性负载开关（如风扇电机、电磁阀）提供可靠保护。热特性方面，双通道共享同一封装，结到壳热阻R_θJC稳态6.6°C/W，最大功率耗散18.9W（Tc=25℃）；结到环境热阻R_θJA稳态75°C/W（基于1in²铜箔），在自然冷却条件下可承受约1.67W（TA=25℃）。封装采用DFN5×6C-8_EP2，外形尺寸5×6mm，高度0.9mm，底部裸露焊盘提供高效散热路径，同时节省PCB面积。工作结温范围-55℃~150℃，满足消费电子、工业控制及通信设备长期可靠性要求。器件达到MSL1湿度敏感等级，无铅且符合RoHS标准。

基于互补双通道集成特性，RSTN40C28A1尤其适用于风扇预驱动器H桥应用，如服务器散热风扇、汽车电子风扇及家用电器风机。单封装内集成高边P沟道和低边N沟道，可直接由MCU的PWM信号驱动，无需额外电平转换或自举电路，显著简化PCB布局并降低成本。在小型直流电机控制（H桥/半桥）中，器件可用于电动玩具、医疗器械泵、智能锁电机驱动等场景，低导通电阻和快速开关特性确保高效率和低发热。此外，器件适用于同步整流（SR）辅助电源、电池管理系统（BMS）充放电保护以及通信设备热插拔电路。由于P沟道MOSFET允许简单的高侧开关设计，RSTN40C28A1也是便携设备电源路径管理和负载开关的理想选择。瑞斯特此款互补MOSFET以高集成度、适中的导通电阻和良好的热性能，为40V低压功率系统提供了灵活、可靠且高性价比的解决方案。