RSTN20L100
RSTN20L100 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTN20L100 是一款超低导通电阻、超大电流P沟道增强型功率MOSFET，采用DFN5x6-8封装，额定漏源电压 VDS = -20V，连续漏极电流 ID = -100A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = -292A。导通电阻典型值为 4.5mΩ（VGS=-4.5V, ID=-25A）、5.5mΩ（VGS=-2.5V, ID=-15A）和6.8mΩ（VGS=-1.8V, ID=-5A），支持超低压驱动。器件经过100% UIS和Rg测试，可靠性高，符合RoHS要求。DFN5x6封装提供极佳的热传导能力和低寄生电感，适用于高功率密度应用。
■ 关键电气参数
RSTN20L100 的栅极阈值电压典型值约 -0.7V（范围 -0.5~-1.0V），兼容1.8V驱动。动态参数方面，输入电容典型值约6000pF（VDS=-10V），输出电容约1000pF，反向传输电容约800pF。栅极电荷 Qg 典型值约63nC（VGS=-4.5V, ID=-25A），其中栅源电荷约7.9nC，栅漏电荷约22nC。开关时间（VDD=-10V, ID=-1A）显示开通延迟约16ns，上升约18ns，关断延迟约230ns，下降约85ns。体二极管反向恢复时间约44ns，恢复电荷约30nC，适合中高频硬开关应用。
■ 热管理与可靠性设计
RSTN20L100 在 TC=25℃ 时最大耗散功率为 40W，TC=100℃ 时降额至16W；结到壳热阻 RθJC = 3.1℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 60℃/W（1in²铜箔）。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = -22A，雪崩能量 EAS = 121mJ（L=0.5mH），具有较强的瞬态能量吸收能力。建议在PCB布局中为DFN5x6封装提供大面积铜箔和过孔，以确保散热。
■ 典型应用场景
RSTN20L100 凭借-20V耐压和100A电流能力，广泛适用于：
便携设备负载开关：大电流电源路径切换。
电子烟电池保护：大电流充放电保护。
电池管理：多节锂电保护电路中的主开关。
DC/DC转换器：低压大电流降压转换器的主开关。
瑞斯特 RSTN20L100 为低压大电流系统提供了极低导通损耗的P沟道开关方案。
