RSTN20DP45A5
RSTN20DP45A5 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTN20DP45A5 是一款低压P沟道增强型功率MOSFET，采用紧凑的DFN2x2C-6_EP2封装，额定漏源电压 VDS = -20V，连续漏极电流 ID = -4A（TA=25℃），脉冲电流 IDM = -12A。导通电阻典型值为 45mΩ（VGS=-4.5V, ID=-4A）和 55mΩ（VGS=-2.5V），适合低压低功耗开关应用。器件经过100% UIS和Rg测试，可靠性高，符合RoHS要求。DFN2x2C封装具有极小的占板面积和低寄生电感，适用于便携式设备和高密度电路板。
■ 关键电气参数
RSTN20DP45A5 的栅极阈值电压典型值约 -0.7V（范围 -0.4~-1.0V），兼容1.8V/2.5V逻辑驱动。动态参数方面，输入电容典型值约 600pF（VDS=-10V），输出电容约 80pF，反向传输电容约 40pF。栅极电荷 Qg 典型值约 4.5nC（VGS=-4.5V, ID=-4A），开关速度较快。开关时间测试（VDD=-10V, ID=-1A）显示开通延迟约 6ns，上升约 12ns，关断延迟约 25ns，下降约 15ns。体二极管反向恢复时间约 8ns，恢复电荷约 2nC，适合高频开关应用。
■ 热管理与可靠性设计
RSTN20DP45A5 在 TA=25℃ 时最大耗散功率为 1.56W，TA=70℃ 时降额至 1W；结到环境热阻（稳态）RθJA = 80℃/W（1in²铜箔）。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = -10A，雪崩能量 EAS = 5mJ（L=0.1mH），足以应对小功率感性负载瞬态。建议在PCB布局中为DFN封装提供足够散热铜箔，确保热性能。
■ 典型应用场景
RSTN20DP45A5 凭借低压P沟道特性和小封装，广泛适用于：
负载开关：便携设备、电池供电系统中的电源切换。
电池开关：单节锂电保护电路中的充电/放电控制。
高速线路驱动器：通信接口、信号调理中的驱动级。
逻辑电平转换：低电压域间的接口转换。
瑞斯特 RSTN20DP45A5 为低压P沟道开关应用提供了紧凑、高效的解决方案。
