RSTFG100N15

瑞斯特（RST）推出的RSTFG100N15是一款面向中高压功率转换的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO‑220FP全塑封绝缘封装，内部集成了低导通电阻单元，专为高效率同步整流、不间断电源（UPS）及高频硬开关电路设计。器件额定漏源电压100V，栅源电压±20V，在V_GS=10V条件下典型导通电阻R_DS(on)=13mΩ（最大18mΩ），较低的传导损耗使其在100V平台下具备良好的效率优势。连续漏极电流额定70A（T_c=25℃），脉冲电流达210A，体二极管连续电流70A。栅极阈值电压V_GS(th)典型值3V（范围2~4V），兼容标准10V驱动。零栅压漏电流典型值1mA（V_DS=80V，25℃），高温85℃时30mA。体二极管正向压降典型0.8V（I_SD=10A），反向恢复时间t_rr=44ns，恢复电荷95nC，具备适中的恢复特性，适用于硬开关拓扑中的续流。器件经过100% UIS（非钳位电感开关）及R_g测试，单脉冲雪崩能量达169mJ（L=0.5mH，I_AS=26A），确保在感性负载关断时可靠吸收过压能量。TO‑220FP封装具有全塑封绝缘特性，无需额外绝缘垫片，简化安装并提高系统可靠性。

动态特性方面，RSTFG100N15针对高频硬开关应用进行了优化。典型总栅极电荷Q_g=42nC（最大59nC，V_DS=50V，V_GS=10V，I_D=20A），其中栅源电荷Q_gs=12nC，栅漏电荷Q_gd=12nC，米勒电荷适中，有助于平衡开关损耗与驱动要求。输入电容C_iss=2100pF（最大2730pF），输出电容C_oss=255pF，反向传输电容C_rss=100pF（V_DS=30V，f=1MHz），低容值特性有利于减小开关节点振铃。栅极电阻R_G=1.0Ω，利于快速充放电。开关时间参数：典型开通延迟t_D(on)=19ns，上升时间t_r=9ns，关断延迟t_D(off)=36ns，下降时间t_f=22ns（测试条件V_DD=30V，R_L=30Ω，R_G=6Ω，I_D=1A），开关速度快，可支持数十kHz至数百kHz的电源转换需求。热特性方面，结到外壳热阻R_θJC=2.1℃/W，最大功耗P_D=59W（T_c=25℃），在100℃壳温下降额至23W；结到环境热阻（稳态）62.5℃/W。结温与存储温度范围覆盖-55℃~150℃。

基于TO‑220FP全塑封封装良好的散热与绝缘性能，RSTFG100N15专为高效率、高可靠性的中高压电源系统设计。典型应用场景包括：① 高效率SMPS同步整流：在通信电源、服务器电源及工业AC‑DC转换器的次级侧用作同步整流MOSFET，100V耐压可覆盖48V/60V输出系统，13mΩ低导通电阻有效降低整流损耗，是实现白金/钛金效率的关键器件。② 不间断电源（UPS）：在UPS的逆变级、PFC升压级或电池升压转换器中作为功率开关，高雪崩能量保证市电切换或负载突变时的可靠性，全塑封封装简化了散热器绝缘设计。③ 高频硬开关电路：适用于有源钳位正激、双管正激、LLC谐振等硬开关拓扑，低Qg和低C_rss有助于减小开关损耗和振铃，支持更高开关频率以缩小变压器体积。④ DC‑DC转换器与电机驱动：用于48V系统降压转换器、低压BLDC电机驱动及工业电源路径管理。工程设计中，建议栅极驱动电压采用10V以获取最低R_DS(on)；TO‑220FP封装背面为全塑封绝缘，安装时无需绝缘垫片，但仍需涂抹导热硅脂并确保散热器平整；高频应用时注意栅极驱动回路电感，推荐使用<10Ω的栅极串联电阻以优化开关波形。总体而言，RSTFG100N15以其100V耐压、13mΩ低导通电阻及增强的UIS/R_g可靠性，为中高压同步整流、UPS及高频硬开关系统提供了高效可靠的功率半导体方案。