RSTDG100N07H

瑞斯特（RST）推出的RSTDG100N07H是一款面向100V中高压功率转换的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO‑252封装，专为开关电源（SMPS）及DC‑DC转换器设计。器件额定漏源电压100V，栅源电压±20V，在V_GS=10V条件下典型导通电阻R_DS(on)=7.0mΩ（最大9mΩ），较低的传导损耗使其在100V平台下具备良好的效率优势。连续漏极电流额定70A（T_c=25℃），脉冲电流达210A，体二极管连续电流70A。栅极阈值电压V_GS(th)典型值3V（范围2~4V），兼容标准10V驱动。零栅压漏电流典型值1μA（V_DS=80V，25℃），高温85℃时30μA。体二极管正向压降典型0.8V（I_SD=20A），反向恢复时间t_rr=50ns，恢复电荷107nC，具备适中的恢复特性，适用于硬开关拓扑中的续流。器件经过100% UIS（非钳位电感开关）及R_g测试，单脉冲雪崩能量达256mJ（L=0.5mH，I_AS=32A），确保在感性负载关断时可靠吸收过压能量。最高结温175℃，较常规150℃器件提供更宽的热裕量。此外，器件达到MSL1（湿度敏感等级1）标准，简化仓储与回流焊工艺管控。

动态特性方面，RSTDG100N07H针对中高频开关进行了优化。典型总栅极电荷Q_g=56nC（最大80nC，V_DS=50V，V_GS=10V，I_D=40A），其中栅源电荷Q_gs=14nC，栅漏电荷Q_gd=19nC，米勒电荷适中，有助于平衡开关损耗与驱动要求。输入电容C_iss=1540pF（最大2010pF），输出电容C_oss=350pF，反向传输电容C_rss=50pF（V_DS=50V，f=1MHz），低容值特性有利于减小开关节点振铃。栅极电阻R_G=0.84Ω，利于快速充放电。开关时间参数：典型开通延迟t_D(on)=23ns，上升时间t_r=19ns，关断延迟t_D(off)=53ns，下降时间t_f=68ns（测试条件V_DD=30V，R_L=30Ω，R_G=6Ω，I_D=1A），开关速度可满足数十kHz至数百kHz的电源转换需求。热特性方面，结到外壳热阻R_θJC=1.1℃/W，最大功耗P_D=136W（T_c=25℃），在100℃壳温下降额至68W；结到环境热阻（稳态）50℃/W（1平方英寸铜箔）。结温与存储温度范围扩展至-55℃~175℃，满足高功率工业应用要求。

基于TO‑252封装良好的散热性能与7.0mΩ低导通电阻，RSTDG100N07H专为高效率、高可靠性的中高压电源系统设计。典型应用场景包括：① 开关电源（SMPS）初级侧主开关：在反激、正激及LLC谐振拓扑中用作高压MOSFET，100V耐压适用于48V/60V输入系统，7.0mΩ低导通电阻减少导通损耗，配合175℃高结温提升可靠性。② DC‑DC转换器（同步降压/升压）：用于48V转12V、24V转5V等中间总线转换器，低Qg支持较高开关频率以减小磁性元件体积，MSL1等级简化生产管控。③ 负载开关与热插拔：在通信设备、工业控制及电池管理系统中用作大电流负载开关，低导通压降减少发热，高雪崩能量保证热插拔时的安全关断。④ 电机控制与电源路径管理：适用于低压BLDC电机驱动（如48V系统）及电源冗余OR-ing应用。工程设计中，建议栅极驱动电压采用10V以获取最低R_DS(on)；TO‑252封装需确保中央散热焊盘与PCB覆铜良好焊接，并增加过孔散热；高频应用时注意栅极驱动回路电感，推荐使用<10Ω的栅极串联电阻以优化开关波形。总体而言，RSTDG100N07H以其100V耐压、7.0mΩ低导通电阻及增强的UIS/R_g可靠性，为中高压SMPS和DC‑DC转换系统提供了高效可靠的功率半导体方案。