RST7100N

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RST7100N 是一款高压 N 沟道增强型功率MOSFET，采用 DFN3.3x3.3_8L_EP1_P 超小型封装，专为电机控制、风扇预驱动 H 桥等应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = 100V，连续漏极电流 ID = 6.2A（TA=25℃），脉冲电流 IDM = 18A，栅源电压耐受 ±20V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RST7100N 经过 100% UIS 和 Rg 测试，MSL1 等级，具备高可靠性和耐用性。DFN3.3x3.3 封装占用极小 PCB 面积，适合空间受限的高压应用。

■ 关键电气参数
RST7100N 的导通电阻典型值 RDS(on) = 57mΩ（VGS=10V, ID=3A），最大 62mΩ；在 VGS=4.5V 时典型值为 65mΩ，最大 72mΩ。高压下保持较低导通电阻，适合高压开关应用。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 1.0~3.0V（ID=250μA）。动态参数方面，输入电容 CISS 典型值 300pF，输出电容 COSS 约 58pF，反向传输电容 CRSS 约 15pF（VDS=50V, f=1MHz）。栅极电荷 Qg 典型值 3nC（VGS=4.5V），米勒电荷 Qgd 约 1.5nC，适合高频开关。栅极电阻典型值 2Ω。

■ 热管理与可靠性设计
RST7100N 在 TA=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 1.79W，TA=70℃ 时降额至 1.14W。稳态结到环境热阻 RθJA = 70℃/W（基于 1in² 铜箔）。器件经过 UIS 测试，单脉冲雪崩能量 EAS = 9mJ（L=0.5mH），确保在感性负载开关中的可靠性。

■ 典型应用场景
RST7100N 凭借 100V 耐压、6.2A 电流能力和超小封装，广泛适用于以下应用：

• 电机控制：高压小功率电机驱动。

• 风扇预驱动 H 桥：用于散热风扇驱动。

• 负载开关：在 48V 系统中实现低损耗电源路径管理。

• DC-DC 转换器：高压 buck 转换器中作为同步整流管。

瑞斯特 RST7100N 以 DFN3.3x3.3 超小封装提供 100V/6.2A 的 N 沟道高性能，为空间受限的高压应用提供高效、紧凑的功率开关方案。