RST6604SM
RST6604SM 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RST6604SM 是一款集成了 N 沟道和 P 沟道增强型功率MOSFET 的双通道器件，采用 SOT23-6L 封装，专为笔记本计算机、便携设备和电池供电系统的电源管理及负载开关等应用设计。N 沟道额定 VDS = 20V，连续电流 ID = 5A（TA=25℃）；P 沟道额定 VDS = -20V，连续电流 ID = -3.3A（TA=25℃）。栅源电压耐受 ±12V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。器件经过 100% UIS 测试，具备高可靠性和耐用性。SOT23-6L 封装有效节省 PCB 面积，适合高密度便携设备。
■ 关键电气参数
N 沟道：RDS(on) = 40mΩ（典型，VGS=4.5V, ID=5A），VGS=2.5V 时典型值为 46mΩ，VGS=1.8V 时典型值为 60mΩ。P 沟道：RDS(on) = 62mΩ（典型，VGS=-4.5V, ID=-3.3A），VGS=-2.5V 时典型值为 81mΩ，VGS=-1.8V 时典型值为 110mΩ。极低电压驱动下的低导通电阻使其在 1.8V~4.5V 逻辑电平下均能高效工作。阈值电压 N 沟道 0.5~1.0V，P 沟道 -0.5~-1.0V。动态参数方面，输入电容较小，栅极电荷较低，适合高频开关。栅极电阻未给出。
■ 热管理与可靠性设计
RST6604SM 在 TA=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 1.4W，TA=70℃ 时降额至 0.9W。短脉冲（t≤10s）结到环境热阻 RθJA = 90℃/W，稳态热阻 125℃/W（基于 1in² 铜箔）。建议为漏极焊盘提供足够铜箔以改善散热。器件经过 UIS 测试，确保在感性负载开关中的可靠性。
■ 典型应用场景
RST6604SM 凭借双通道集成和超低压驱动能力，广泛适用于以下应用：
笔记本电源管理：作为系统负载开关，用于低电压外设。
便携设备电池管理：电池隔离开关，支持低损耗。
负载开关：在 1.8V/3.3V 系统中实现双路低损耗电源路径管理。
逻辑电平转换：作为电平转换器中的开关。
瑞斯特 RST6604SM 以 SOT23-6L 紧凑封装提供双通道高性能，为便携设备提供高效、紧凑的功率开关方案。
