RST6250 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计,电气性能稳定、环境适应性强, 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求,广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定,适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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■ 器件概述与封装
瑞斯特 RST6250 是一款超高压大电流 N 沟道增强型功率MOSFET,采用 DFN5x6-8 封装,专为同步整流、移动设备充电器、USB-PD 适配器等高压大功率应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = 150V,连续漏极电流 ID = 52A(TC=25℃),脉冲电流 IDM = 158A,栅源电压耐受 ±20V。最高结温 175℃,存储温度范围 -55℃~175℃。RST6250 经过 100% UIS 和 Rg 测试,MSL1 等级,具备高可靠性和耐用性。DFN5x6-8 封装提供优异的散热能力,适合高功率密度应用。
■ 关键电气参数
RST6250 的导通电阻典型值 RDS(on) = 13.5mΩ(VGS=10V, ID=26A),最大 16.5mΩ。高压下仍保持极低的导通电阻,适合高电压大电流开关。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 2.0~4.0V(ID=250μA)。动态参数方面,输入电容 CISS 典型值 2800pF,输出电容 COSS 约 200pF,反向传输电容 CRSS 约 28pF(VDS=75V, f=1MHz)。栅极电荷 Qg 典型值 43nC(VGS=10V),米勒电荷 Qgd 约 8.5nC,适合高频开关。栅极电阻典型值 1.5Ω。
■ 热管理与可靠性设计
RST6250 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 136W,TC=100℃ 时降额至 68W。结到壳热阻 RθJC = 1.1℃/W,结到环境热阻 55℃/W(基于 1in² 铜箔)。器件经过 UIS 测试,单脉冲雪崩能量 EAS = 169mJ(L=0.5mH),确保在感性负载开关中的可靠性。
■ 典型应用场景
RST6250 凭借 150V 耐压、52A 电流能力和超低导通电阻,广泛适用于以下应用:
同步整流:用于高压 DC-DC 转换器中的同步整流管。
移动设备充电器:USB-PD 适配器中的功率开关。
电池管理:高电压电池充放电保护。
电机驱动:高压电机控制。
瑞斯特 RST6250 以 DFN5x6-8 封装提供 150V/52A 的 N 沟道高性能,为高压高功率应用提供高效、紧凑的功率开关方案。