RST60R029

■ 器件概述与封装
瑞斯特（RST）RST60R029 是一款采用 TO-247 大功率封装的 N 沟道增强型功率MOSFET，专为 AC-DC 功率转换、开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和适配器等高压大电流应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = 650V，连续漏极电流 ID = 80A（Tc=25℃），脉冲电流 IDM = 240A，栅源电压耐受 ±30V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RST60R029 经过 100% UIS 和 Rg 测试，具备极高的雪崩耐受能力和可靠性。TO-247 封装提供优异的散热性能和电流承载能力，适合高功率密度电源系统，满足 RoHS 环保要求。

■ 关键电气参数
RST60R029 的导通电阻典型值 RDS(on) = 25mΩ（VGS=10V, ID=30A），最大 30mΩ。在 650V 耐压等级下，如此低的导通电阻极为出色，可大幅降低导通损耗，提高系统效率。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 2.5~4.5V（ID=250μA），兼容 10V 驱动。动态参数方面，输入电容 CISS 典型值 7780pF，输出电容 COSS 约 169pF，反向传输电容 CRSS 约 55pF（VDS=325V, f=1MHz）。栅极电荷 Qg 典型值 161nC（VGS=10V），米勒电荷 Qgd 约 53nC，使其在 100kHz 开关频率下具备良好的开关性能。体二极管反向恢复电荷低，有助于减少开关损耗。

■ 热管理与可靠性设计
RST60R029 在 Tc=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 347W，Tc=100℃ 时降额至 139W。结到外壳热阻 RθJC = 0.36℃/W，结到环境热阻 RθJA = 40℃/W。TO-247 封装需要搭配适当的散热器以发挥最佳散热性能。器件经过 100% UIS 测试，雪崩能量 EAS = 1921mJ（L=10mH, IAS=19.6A），确保在极端感性负载条件下的可靠性。栅极电阻典型值 1.3Ω，利于驱动匹配。

■ 典型应用场景
RST60R029 凭借 650V 耐压、80A 电流能力和 25mΩ 低 RDS(on)，广泛适用于以下高功率电源应用：

• 开关电源（SMPS）：作为 AC-DC 变换器的主开关管，用于服务器电源、工业电源等。

• 不间断电源（UPS）：在 UPS 中作为功率开关，提供高可靠性的电源转换。

• 适配器：用于大功率笔记本电脑适配器、电动工具充电器等。

• PFC 电路：在功率因数校正电路中作为升压开关，提高电网效率。

瑞斯特 RST60R029 以 TO-247 封装提供 650V/80A 的极致性能，为高功率电源系统提供最高效的功率开关解决方案。