RST4012S
RST4012S 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- SOP-8
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N
- ID(A):
- 12
- VTH(V):
- 1.8
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 8.4
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 12
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 12.3
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 18
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 1780
- QG(nC):
- 30
- PD(W):
- 3
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特 RST4012S 是一款采用先进沟槽工艺技术的N沟道增强型功率MOSFET，专为负载开关、硬开关和高频电路等应用设计，具有超低导通电阻（典型8.4mΩ）。主要额定参数：漏源电压 VDS = 40V，连续漏极电流 ID = 12A（TA=25℃），脉冲漏极电流 IDM = 60A，导通电阻 RDS(ON) < 12mΩ（VGS=10V，典型值8.4mΩ），RDS(ON) < 18mΩ（VGS=4.5V，典型值12.3mΩ）。采用 SOP-8 表面贴装封装，结到环境热阻 41.7℃/W，最大功率耗散 3W（TA=25℃）。工作结温范围 -55~150℃，适合高密度板级组装。
■ 关键电气参数
RST4012S 具有卓越的导通特性，典型阈值电压 VGS(th) = 1.6V（ID=250μA），正向跨导 gFS = 75S（VDS=5V，ID=10A）。动态参数方面，输入电容 Ciss = 1780pF，输出电容 Coss = 209pF，反向传输电容 Crss = 160pF（VDS=20V，VGS=0V，f=1MHz）。开关特性优异：开通延迟 td(on) = 6.4ns，上升时间 tr = 17.2ns，关断延迟 td(off) = 29.6ns，下降时间 tf = 16.8ns。总栅极电荷 Qg = 30nC（VDS=20V，ID=10A，VGS=10V），栅源电荷 Qgs = 4.2nC，栅漏电荷 Qgd = 9.5nC。体二极管反向恢复时间 trr = 29ns，反向恢复电荷 Qrr = 26nC。
■ 热设计与高可靠性
RST4012S 结到环境热阻 41.7℃/W，配合 SOP-8 封装良好的散热能力。高密度单元设计实现了超低导通电阻（典型8.4mΩ），特殊工艺提供高ESD防护能力，器件经雪崩电压和电流全特性表征。SOP-8封装适合高密度板级组装，适用于硬开关和高频电路等功率转换应用。
■ 主要应用领域
RST4012S 适用于中压大电流开关应用：
负载开关：高密度板级负载切换和电源路径管理。
电源转换：硬开关和高频电路、DC-DC转换器中的功率开关。
不间断电源：UPS功率级设计。
工业电源：开关电源（SMPS）中的功率级。
其40V耐压、12A电流能力和超低导通电阻（典型8.4mΩ），配合SOP-8封装，适合需要高效率和较高功率密度的中压应用。选型时需注意散热设计，确保结温不超过150℃。
