RST13007MA

瑞斯特（RST）推出的RST13007MF与RST13007MA 是一款采用外延平面工艺制造的NPN型高压功率晶体管，具备700V的阻断电压能力和高达8A的集电极电流能力。该器件集电极-基极电压VCBO = 700V，集电极-发射极维持电压VCEO(SUS) = 400V（最小值），发射极-基极电压VEBO = 9V，使其能够安全应用于电子镇流器、电子变压器、开关电源等高电压、高电流场合。连续集电极电流IC = 8A（峰值16A），基极连续电流IB = 4A，满足较高功率的高压开关需求。RST13007MF采用TO-220F全塑封绝缘封装（50只/管），RST13007MA采用TO-220金属散热片封装（50只/管），便于设计人员在散热需求与电气绝缘要求之间灵活选择。在外壳温度25℃条件下，TO-220封装耗散功率80W，结温范围-55℃至150℃，结到外壳热阻1.56℃/W，为紧凑型高压功率转换提供高性价比国产化选择。

RST13007MF/MA 击穿电压保证值：集电极-发射极维持电压VCEO(SUS) ≥ 400V（IC=10mA, IB=0）。关断态漏电流较低：在25℃时集电极截止电流ICBO小于0.1mA（VCE=700V），在125℃时小于1.0mA。发射极截止电流IEBO在VEB=9V时小于100μA。直流电流增益hFE在IC=2.0A、VCE=5.0V条件下为8.0～40，IC=5.0A时为5.0～30，确保重载下基极驱动仍有足够余量。

饱和电压特性：VCE(sat) 在IC=2.0A、IB=0.4A时典型值1.0V，IC=5.0A、IB=1.0A时典型值2.0V，IC=8.0A、IB=2.0A时典型值3.0V，在较高电流下导通损耗可控。基极-发射极饱和电压VBE(sat)在IC=2.0A时典型值为1.2V，IC=5.0A时典型值为1.6V，便于驱动电路设计。高温（100℃）下饱和电压未见显著恶化，保证了热工况下的性能一致性。

RST13007MF/MA 的特征频率 f_T 典型值为4MHz（IC=500mA, VCE=10V, f=1.0MHz），适用于中低频功率开关应用，如40kHz～100kHz的电子镇流器、反激式开关电源及电子变压器。输出电容C_ob典型值为80pF（VCB=10V, f=0.1MHz），有助于控制开关过程中的容性损耗。开关时间参数在阻性负载条件下表现良好：在VCC=125V、IC=5.0A、IB1=IB2=1.0A条件下，延迟时间t_d典型值0.025μs，上升时间t_r典型值0.5μs，存储时间t_s典型值1.8μs，下降时间t_f典型值0.23μs。器件具备完整的正向偏置安全工作区（FBSOA）和反向偏置开关安全工作区（RBSOA）曲线（见图7、图8），在电感负载、钳位条件下仍能可靠工作，尤其适用于反激式电源中需要承受漏感尖峰的应用。对于需要更高开关速度的设计，可通过优化基极驱动（如使用加速电容或负压关断）进一步降低存储时间。

基于700V高耐压、8A电流能力以及优化的开关特性，RST13007MF/MA 广泛适用于以下高压功率电子领域：

设计注意事项：开关应用中，为确保低导通损耗，基极过驱动电流应满足IB ≥ IC/5～IC/10（例如IC=5A时IB≥0.5A）。为加速关断，推荐在基极与发射极之间并联肖特基二极管或电阻，并施加-2V～-5V的反偏电压。散热设计至关重要：TO-220封装需加装合适的散热片（建议热阻≤2℃/W），确保外壳温度不超过100℃。TO-220F全塑封封装热阻较高，需优先考虑降额使用或强制风冷。RST13007MF/MA 可pin-to-pin替代MJE13007、KSE13007等传统高压功率管，为照明电子和开关电源提供高性价比国产化升级方案。