PMV75UP
PMV75UP 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特（RST）PMV75UP 是一款采用 SOT-23 封装的 P 沟道增强型 MOSFET，基于高密度单元和先进沟槽工艺，为便携设备 DC-DC 转换器中的负载开关提供低导通电阻解决方案。主要额定参数：漏源电压 VDS = -20V，连续漏极电流 ID = -2A（脉冲电流 IDM = -8A），栅源电压 VGS = ±12V。耗散功率 PD = 0.7W，结温范围 -55℃ ~ +150℃。SOT-23 封装适合高密度表面贴装。
■ 关键电气参数
PMV75UP 的导通电阻典型值：VGS=-4.5V、ID=-2A 时为 87mΩ，最大值 120mΩ；VGS=-2.5V、ID=-1.8A 时为 114mΩ（最大 170mΩ）。栅极阈值电压 VGS(th) 典型值为 -0.7V（ID=-250μA），范围 -0.4V ~ -1.0V，兼容 2.5V 逻辑电平。动态参数：输入电容 CISS = 190pF，输出电容 COSS = 25pF，反向传输电容 CRSS = 25pF（VDS=10V、f=1MHz）。总栅极电荷 Qg = 3.0nC，米勒电荷 Qgd = 0.8nC。开关时间：td(on)=10ns，tr=5ns，td(off)=21ns，tf=7ns。体二极管正向压降 VSD = -1.2V（IS=-1A），最大续流能力 -2A。这些特性使其在低压、低电流开关应用中非常高效。
■ 热设计与可靠性
SOT-23 封装热阻未明确给出，但根据耗散功率 0.7W 可推断需要良好的 PCB 散热。建议将源极焊盘连接到较大面积的铜箔以辅助散热。当环境温度升高时，需按降额曲线降低功率。器件通过 260℃ 回流焊认证，并经过严格的可靠性测试。
■ 主要应用领域
PMV75UP 凭借 -20V/-2A 能力和低 RDS(on)，广泛适用于以下场景：
便携设备负载开关：用于智能手机、可穿戴设备中的小功率电源路径管理。
DC-DC 转换器：作为低功率 buck 转换器的高侧 P 沟道开关。
电池保护电路：用于单节锂电池保护板的放电开关。
信号切换：作为模拟开关或信号复用器。
逻辑电平转换：作为电平移位器的输出级驱动。
综上，瑞斯特 PMV75UP 以 SOT-23 封装、-20V/-2A 能力和低 RDS(on)，成为低压小功率负载开关和电源路径管理的理想选择。
