ES2D

在开关电源、高频逆变器、AC-DC适配器及功率因数校正电路中，整流二极管的反向恢复损耗是影响效率和发热的关键因素。瑞斯特（RST）推出的 ES2A-ES2J 系列超快恢复整流器，采用 SMB（DO-214AA） 表面贴装封装，专为2A输出电流和50V至600V反向电压应用而设计。该系列覆盖 50V、100V、150V、200V、300V、400V、600V 七个电压等级（对应型号 ES2A、ES2B、ES2C、ES2D、ES2E、ES2G、ES2J），最大平均整流输出电流 IF(AV) 均为 2.0A，峰值正向浪涌电流 IFSM（8.3ms 单半正弦波）高达 60A，可承受电源上电、雷击或负载突变时的瞬态大电流冲击。器件采用玻璃钝化芯片结，具有低反向漏电流、高正向浪涌能力和内置应力消除结构，适合自动化贴装。工作结温和存储温度范围均为 -55℃~+150℃，塑料封装符合 UL 94V-0 阻燃等级，端子可焊性满足 MIL-STD-750 方法2026。

根据电气特性（TA=25℃），该系列正向压降 VF 随耐压升高而略有增加：ES2A-ES2D（50V-200V）在 IF=2A 时最大为 1.0V；ES2E-ES2G（300V-400V）为 1.25V；ES2J（600V）为 1.68V。低压降特性有助于降低导通损耗，提高电源效率。反向漏电流 IR 在额定 DC 阻断电压下，TA=25℃ 时最大 5μA，TA=125℃ 时最大 100μA，高温漏电控制良好。典型结电容 CJ 在 1MHz、4V 反向偏置下为 40pF，适合几十 kHz 至几百 kHz 的开关频率，容性损耗较低。反向恢复时间 trr 典型值为 35ns（测试条件：IF=0.5A，IR=1.0A，IRR=0.25A），这一超快恢复特性可显著减少开关管在反向恢复期间的损耗和发热，并降低 EMI。典型热阻 RθJA 为 60℃/W（结到环境），RθJC 为 20℃/W（结到外壳），在 2A 连续电流下建议 PCB 敷铜面积 ≥ 2.0"×2.0"（5×5cm）以确保良好散热。

典型应用场景： ES2A-ES2J 系列凭借 2A 电流能力、35ns 超快恢复、60A 浪涌耐受和宽耐压范围，广泛适用于：① 开关电源输出整流——反激、正激、半桥变换器的次级整流，尤其适用于 12V-48V 输出的适配器、充电器、LED 驱动；2A 能力满足多数中小功率电源需求。② 高频逆变器与 PFC 电路：用作升压二极管或输出整流管，低反向恢复减少损耗，提高功率密度。③ 续流二极管：在 buck 变换器、电机驱动中与功率开关并联，吸收关断反峰，60A 浪涌能力可抵御异常过流。④ 反极性保护：串联于电源输入端，利用低压降和快速响应保护后级电路。⑤ 功率因数校正（CCM PFC）：其超快恢复特性可有效降低开关管关断时的反向恢复电流尖峰，提升 THD 和效率。选型时根据最大反向电压选择对应型号（如 220V 交流整流后约 311V，选用 ES2G 或 ES2J）。在 PCB 布局中，应尽量缩短二极管与变压器、开关管之间的走线，减小环路电感；建议敷铜散热面积不小于 25mm²。SMB 封装兼容自动贴片和回流焊工艺（峰值 +260℃）。

从封装与组装角度，SMB（DO-214AA）封装尺寸约为 4.50mm×3.60mm×2.30mm，重量约 0.095 克。引脚为焊锡镀层，可焊性良好。推荐的焊盘设计可参考标准 SMB 封装，确保散热良好。回流焊曲线符合 J-STD-020 无铅工艺：预热 +150℃~+200℃（60~180 秒），液相 +217℃（60~150 秒），峰值 +260℃（+0/-5℃，20~40 秒），升温/降温斜率分别 ≤3℃/秒和 ≤6℃/秒。器件以卷带包装供货（约 3,000 片/卷），适合高速自动贴片。总体而言，瑞斯特（RST）ES2A-ES2J 系列超快恢复整流器以 50V~600V 宽耐压、2A 电流、35ns 超快恢复、40pF 低结电容和 60A 浪涌耐受，成为开关电源、高频整流和续流保护的理想选择。无论是在消费电子适配器中，还是在工业电源模块中，该系列都能以高可靠性和高效率满足 2A 级设计要求。