ES1G

在开关电源、高频逆变器、AC-DC适配器以及功率因数校正（PFC）电路中，整流二极管的反向恢复特性直接影响系统效率和电磁兼容性。瑞斯特（RST）推出的 ES1A-ES1J 系列超快恢复整流器，采用标准表面贴装封装（如SMA/DO-214AC），专为1A输出电流和50V至600V反向电压应用而设计。该系列覆盖 50V、100V、150V、200V、300V、400V、600V 七个电压等级（对应型号 ES1A、ES1B、ES1C、ES1D、ES1E、ES1G、ES1J），最大平均整流输出电流 IF(AV) 均为 1.0A，峰值正向浪涌电流 IFSM（60Hz 半正弦波，1周期，TA=25℃）高达 30A，可承受电源上电或雷击感应的瞬态大电流冲击。器件具有极快的反向恢复时间（典型值 35ns），显著降低开关损耗，适用于高频工作环境。工作结温和存储温度范围均为 -55℃~+150℃，符合无铅和 RoHS 要求。器件以卷带包装供货，适合自动化贴装。

根据电气特性（TA=25℃），该系列正向压降 VF 随耐压升高而略有增加：ES1A-ES1D（50V-200V）在 IF=1A 时最大为 0.95V；ES1E（300V）为 1.25V；ES1G（400V）为 1.25V；ES1J（600V）为 1.70V。低压降特性有助于降低导通损耗，提高电源效率。反向漏电流 IR 在额定 VRM 下，TA=25℃ 时最大 5μA，TA=125℃ 时最大 50μA，高温漏电控制良好。典型结电容 CJ 在 1MHz、4V 反向偏置下，ES1A-ES1D 为 14pF，ES1E-ES1J 为 12pF 和 10pF，极低的结电容使其适用于高频开关（几十 kHz 至几百 kHz）且容性损耗极小。反向恢复时间 trr 典型值为 35ns（测试条件：IF=0.5A，IR=1.0A，IRR=0.25A），这一超快恢复特性可显著减少开关管在反向恢复期间的损耗和发热，并降低 EMI。典型热阻 RθJA 为 75℃/W（结到环境），RθJL 为 27℃/W（结到引线），在 1A 连续电流下需注意 PCB 散热设计。

典型应用场景： ES1A-ES1J 系列凭借 1A 电流能力、35ns 超快恢复和低结电容，广泛适用于：① 开关电源输出整流——反激、正激、半桥变换器的次级整流，尤其适用于 5V-48V 输出的适配器、充电器、LED 驱动；35ns 恢复时间可支持 100kHz 以上的开关频率。② 高频逆变器与 PFC 电路：用作升压二极管或输出整流管，低反向恢复减少损耗。③ 续流二极管：在 buck 变换器、电机驱动中与功率开关并联，吸收关断反峰。④ 反极性保护：串联于电源输入端，利用低压降和快速响应保护后级。⑤ 功率因数校正（PFC）：用作连续导通模式（CCM）PFC 的升压二极管，其超快恢复特性可有效降低开关管关断时的反向恢复电流尖峰。选型时根据最大反向电压选择对应型号（如 220V 交流整流后约 311V，选用 ES1G 或 ES1J）。在 PCB 布局中，应尽量缩短二极管与变压器、开关管之间的走线，减小环路电感；建议敷铜散热面积不小于 10mm×10mm。器件采用标准表面贴装封装，兼容自动贴片和回流焊工艺（峰值 +260℃）。

从封装与组装角度，ES1A-ES1J 系列通常采用 SMA（DO-214AC）或同类封装，尺寸约为 4.50mm×2.60mm×2.10mm，引脚为无铅镀锡，可焊性满足 MIL-STD-750。推荐的焊盘设计可参考标准 SMA 封装，确保散热良好。回流焊曲线符合 J-STD-020 无铅工艺：预热 +150℃~+200℃（60~180 秒），液相 +217℃（60~150 秒），峰值 +260℃（+0/-5℃，20~40 秒），升温/降温斜率分别 ≤3℃/秒和 ≤6℃/秒。总体而言，瑞斯特（RST）ES1A-ES1J 系列超快恢复整流器以 50V~600V 宽耐压、1A 电流、35ns 超快恢复、14pF 低结电容和 30A 浪涌耐受，成为开关电源、高频整流和续流保护的理想选择。无论是在消费电子适配器中，还是在工业电源模块中，该系列都能以高可靠性和高效率满足设计要求。