2SC3998
2SC3998 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Ic(A):
- 25
- BVCBO(V):
- 1500
- BVCEO(V):
- 800
- BVEB(V):
- 6
- TS(nS):
- -
- Cargo Status:
- 样品
- 封装:
- TO-3PL
瑞斯特（RST）推出的2SC3998 是一款NPN三重扩散平面型高压功率晶体管，采用TO-3PL大功率封装，专为需要同时承受极高电压和中等电流的高速开关应用而设计。该器件具有业界领先的集电极-基极电压 VCBO 高达1500 V，集电极-发射极电压 VCEO 为800 V，发射极-基极电压 VEBO 为6 V，能够直接用于三相380 V交流整流后的高压直流母线（约540 V）以及单相220 V倍压整流电路，留有充分的安全裕量。其集电极直流电流 IC 为25 A，脉冲电流 ICP 可达50 A，适用于大功率开关电源、高压逆变器以及电子镇流器等场景。器件同时具备高速开关特性（典型存储时间3 μs，下降时间0.2 μs）、高击穿电压以及高可靠性，是传统高压双极型功率晶体管的理想升级选择。
击穿电压：集电极-发射极维持电压 VCEO(sus)（IC=100 mA，IB=0）不低于800 V，保证在感性负载关断过程中不会发生二次击穿。
截止电流：集电极截止电流 ICES（VCE=1500 V）最大为1.0 mA；发射极截止电流 IEBO（VEB=4 V，IC=0）最大为1.0 mA；集电极-基极截止电流 ICBO（VCB=800 V，IE=0）最大仅为10 μA。极低的漏电流有助于降低系统待机功耗并提升高温稳定性。
直流电流增益（hFE）：在 VCE=5 V，IC=1 A 条件下，hFE 范围为8～30；在 IC=20 A 大电流下，hFE 范围为4～8。这保证了在大电流导通状态下仍具备足够的基极驱动能力。
饱和压降：集电极-发射极饱和电压 VCE(sat)（IC=20 A，IB=5 A）最大值为5 V；基极-发射极饱和电压 VBE(sat) 最大值为1.5 V。虽然饱和压降相比MOSFET略高，但在高压双极型晶体管中已处于较低水平，配合快速开关特性可有效控制导通损耗。
开关时间（测试条件：IC=12 A，IB1=2.4 A，IB2=4.8 A，感性负载）：存储时间 tstg 典型值为3 μs，下降时间 tf 典型值仅0.2 μs。较短的下降时间使得器件适合20 kHz～50 kHz的硬开关频率，配合适当的基极关断负压可进一步减小存储时间，提高变换效率。
凭借1500 V的VCBO、25 A的电流能力以及0.2 μs的下降时间，2SC3998 广泛适用于以下高压功率变换领域：
开关稳压电源（SMPS）：特别适用于单端反激或正激式AC-DC转换器，输入电压高达690 V（如三相整流后）。可应用于工业电源、电力操作电源以及光伏辅助电源。
高频逆变器：用于超声波发生器、感应加热设备以及高压静电除尘电源。其低存储时间和快速下降沿支持20 kHz～40 kHz的逆变桥工作。
电子镇流器与HID灯驱动：在高压钠灯、金卤灯电子镇流器中作为半桥开关管，利用其高耐压可靠地启动和稳定灯管。
不间断电源（UPS）：作为后备式或在线式UPS的逆变级功率管，配合高电压电池组（如192 V直流母线）实现正弦波输出。
高压脉冲发生器：用于医疗设备、激光泵浦以及 Marx 发生器的放电开关，利用其快速关断能力产生陡峭的高压脉冲。
